p4sma220 ... p4sma550ca p4sma220 ... p4sma550ca smd transient voltage suppressor diodes smd spannungs-begrenzer-dioden p ppm = 400w p m(av) = 1.0 w t jmax = 150c v wm = 175 ... 495 v v br = 220 ... 550 v version 2016-05-31 ~ sma / ~ do-214ac dimensions - ma?e [mm] type code = v br . cathode mark only at unidirectional types typ-code = v br . kathoden-markierung nur bei unidirektionalen typen typical applications over-voltage protection esd protection free-wheeling diodes commercial grade 1 ) typische anwendungen schutz gegen berspannung esd-schutz freilauf-dioden standardausfhrung 1 ) features uni- and bidirectional versions peak pulse power of 400 w (10/1000 s waveform) very fast response time further available: p4smaj5.0...170ca having v vm = 5.0 ... 170 v compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten uni- und bidirektionale versionen 400 w impuls-verlustleistung (10/1000 s strom-impuls) sehr schnelle ansprechzeit auch erh?ltlich: p4smaj5.0...170ca mit v wm = 5.0 ... 170 v konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 7500 / 13 gegurtet auf rolle weight approx. 0.07 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 for bidirectional types (suffix c or ca), electrical characteristics apply in both directions. fr bidirektionale dioden (mit suffix c oder ca) gelten die elektrischen werte in beiden richtungen. maximum ratings 2 ) grenz werte 2 ) peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform) impuls-verlustleistung (strom-impuls 10/1000 s) t a = 25c p ppm 400 w 3 ) steady state power dissipation C verlustleistung im dauerbetrieb t t = 75c p m(av) 1 w peak forward surge current (half sine) C sto?strom (sinushalbw.) 60 hz t a = 25c i fsm 40 a 4 ) junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c characteristics kennwerte max. instantaneous forward voltageaugenblickswert der durchlass-spannung i f = 25 a v br 550 v v f < 3.5 v 4 ) thermal resistance junction to ambien C w?rme widerstand sperrschicht C umgebung thermal resistance junction to terminal C w?rmewiderstand sperrschicht ? anschluss r tha r tht < 70 k/w 5 ) < 30 k/w 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t j = 25c unless otherwise specified C t j = 25c wenn nicht anders angegeben 3 non-repetitive pulse see curve i pp = f (t) / p pp = f (t) h?chstzul?ssiger spitzenwert eines einmaligen impulses, siehe kurve i pp = f (t) / p pp = f (t) 4 unidirectional diodes only C nur fr unidirektionale dioden 5 mounted on p.c. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 25 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s type typ 0.15 1 0.3 4.5 0.3 1 . 5 0 . 1 2 . 1 0 . 2 2 . 2 0 . 2 5 0.2 2 . 7 0 . 2
p4sma220 ... p4sma550ca characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) type typ breakdown voltage at i t = 1 ma abbruch-spannung bei i t = 1 ma stand-off voltage sperrspannung max. rev. current max. sperrstrom at / bei v wm max. clamping voltage max. begrenzer-spannung at / bei i ppm (10/1000 s) unidirectional bidirectional v br [v] v wm [v] i d [a] v c [v] i ppm [a] p4smaj5.0 ... p4smaj170ca v wm = 5.0 ... 170v p4sma220 p4sma220c 220 10% 198...242 175 5 344 1.2 p4sma220a p4sma220ca 220 5% 209...231 185 5 328 1.2 p4sma250 p4sma250c 250 10% 225...275 202 5 360 1.1 p4sma250a p4sma250ca 250 5% 237...263 214 5 344 1.2 p4sma300 p4sma300c 300 10% 270...330 243 5 430 0.93 p4sma300a p4sma300ca 300 5% 285...315 256 5 414 0.97 p4sma350 p4sma350c 350 10% 315...385 284 5 504 0.79 p4sma350a p4sma350ca 350 5% 332...368 300 5 482 0.83 p4sma400 p4sma400c 400 10% 360...440 324 5 574 0.70 p4sma400a p4sma400ca 400 5% 380...420 342 5 548 0.73 p4sma440 p4sma440c 440 10% 396...484 356 5 631 0.63 p4sma440a p4sma440ca 440 5% 418...462 376 5 602 0.66 p4sma480 p4sma480c 480 10% 432...528 388 5 686 0.58 p4sma480a p4sma480ca 480 5% 456...504 408 5 658 0.61 p4sma530 p4sma530c 530 10% 477...583 429 5 764 0.52 P4SMA530A p4sma530ca 530 5% 503...556 477 5 729 0.55 p4sma550 p4sma550c 550 10% 495...605 445 5 793 0.50 p4sma550a p4sma550ca 550 5% 522...577 495 5 760 0.53 tvs diodes having stand-off voltage v wm = 5.0 ... 170 v: please refer to datasheet p4smaj65 tvs-dioden mit sperrspannung v wm = 5.0 ... 170 v: siehe datenblatt p4smaj65 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
p4sma220 ... p4sma550ca 1 disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 mounted on p.c. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 25 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 3 120 100 80 60 40 20 0 [%] p pp [c] t a 150 100 50 0 i pp peak pulse power/current vs. ambient temperature ) impuls-spitzenleistung/strom vs. umgebungstemp. ) 1 1 10/1000s - pulse waveform 10/1000s - impulsform i pp p pp 100 80 60 40 20 0 0 t 1 2 3 4 [ms] [%] t p i /2 ppm p /2 ppm t = 10 s r 10 10 1 0.1 2 p pp 0.1s t 1s 10s 100s 1ms 10ms p [kw] non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) einzel-impuls-spitzenleistung in abh. von der pulsdauer (10/1000-impuls) [pf] [v] c j v z unidir. bidir. v = 4 v r junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.) sperrschichtkapazit?t in abh. v.d. abbruchspg. (typ.)
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